温馨提示：每个研究员的分析观点都不可能完全正确，请保持理性和有选择性的参考文章，才能在股市中站得更高！本号不欢迎智商不平衡的人阅读和关注。

　　1、客户集中度高及主要客户依赖风险，报告期内，发行人主要产品为半绝缘型碳化硅衬底产品，导电型碳化硅衬底 产品的销售金额及占比较小。半绝缘型碳化硅衬底产品主要用于新一代信息通信 和微波射频等领域，相关领域下游龙头企业的集中度相对较高，且对衬底的需求 较大。报告期内，公司前五大客户的收入占营业收入的比例分别为 80.15%、82.94%、 89.45%和 91.68%，客户集中度较高。其中，公司前两大客户客户 A 和客户 B 的 收入占比较高，报告期内分别为 55.68%、65.96%、78.75%、65.74%。由于公司前期产能有限，上述主要客户为下业内龙头企业，市场份额高、资信好，产 品优先满足现有客户的需求。

　　（一）主营业务，公司是一家国内领先的宽禁带半导体（第三代半导体）衬底材料生产商，主 要从事碳化硅衬底的研发、生产和销售，产品可广泛应用于微波电子、电力电子 等领域。宽禁带半导体衬底材料在 5G 通信、电动汽车、新能源、国防等领域具有明确且可观的市场前景，是半导体产业重要的发展方向。目前，公司主要产品包括半绝缘型和导电型碳化硅衬底。在国外部分发达国 家对我国实行技术封锁和产品禁运的背景下，公司自主研发出半绝缘型碳化硅衬 底产品，实现我国核心战略材料的自主可控，有力保障国内产品的供应，确保我 国宽禁带半导体产业链的平稳发展。公司产品已批量供应至国内碳化硅半导体行 业的下游核心客户，同时已被国外知名的半导体公司使用。在导电型碳化硅衬底 领域，公司 6 英寸产品已送样至多家国内外知名客户，并于 2019 年中标国家电网的采购计划。

　　六、无风个人的估值和申购建议总结：发行人公司是一家半导体上游材料公司，主要业务集中在宽带，产品单一，虽然市占率比较高，但市场竞争激烈，技术上和行业龙头有一定差距，公司库存非常高，现金流很差，报告期内营收增速很快，行业前景非常看好，炒作逻辑是进口替代，第三代半导体概念，公司亮点很多，确实不错，但是发行市值超高，5亿营收利润1亿却要托起355亿市值，几百倍的估值，几乎透支了两三年的空间，市场不知道能不能承受，短线亿左右估值，无风建议保持关注，保守者不建议申购。

　　温馨提示：对于新股预测表的价格，无风重点是指开盘价，不是指开盘后跌到这个位置。从炒作情绪来说，高开低走太伤人气，就算高开了跌到某个价位也不建议接盘，除非庄占比资金介入量明显暴增。预测表是看重公司上市前的财务质地和行业前景，新股后期有波动是正常的，个人看法会随着资金的喜好和题材的发酵而改变前期观点（请关注本号每天复盘，会更新不同的估值分析观点），请谨慎和理性参考，本文内容不做任何投资建议，据此操作风险自理。返回搜狐，查看更多

　　相较于成熟的硅片制造工艺，具备广泛应用于 5G 基站建设、 特高压、城际高速铁路和城市轨道交通、新能源汽车及充电桩、大数据中心等“新 基建”领域的潜力。主要系：目前主流商用的 PVT 法晶体生长速度慢、缺陷控制难度大。在 5G 基站建设、无线电探测、新能源汽车及充电桩等领 域得到快速应用，公司的碳化硅衬底可分为半绝缘型衬底和导电型衬底。短期内一定 程度上限制了碳化硅器件的渗透率，碳化硅衬底的下游应用主要为射频器件及功率器件，下游应用领域仍需平衡碳化硅器件的 高价格与因碳化硅器件的优越性能带来的综合成本下降之间的关系，开发出更适应高压、 高温、高功率、高频等条件的新一代半导体器件，（二）主要产品，导致整体行业发展不达 预期，但是在射频器件、 功率器件领域，并将在光伏新能源、轨道交通、智能电网等行业扩大应用。碳化硅在制造射频器件、功率器件等领域具有明显优势。目前 碳化硅功率器件的价格仍数倍于硅基器件，

　　公司主营业务收入主要来自于半绝缘型衬底收入。目前，具备半绝缘型碳化 硅衬底生产能力的国外同行业公司主要有科锐公司及贰陆公司；根据 Yole 出具 的《Compound Semiconductor Quarterly Market Monitor》研究报告：“半绝缘型碳 化硅衬底市场，山东天岳在中国市场处于领先位置”。根据该报告数据，近年来 科锐公司、贰陆公司与发行人在半绝缘型碳化硅衬底领域按金额统计的市场份额 情况如下：

　　2.预测21年业绩：结合行业发展趋势及公司实际经营情况，公司预计 2021 年全年可实现营业 收入为 46,500 万元至 50,500 万元，较 2020 年增长 9.46%至 18.88%；归属于母 公司股东净利润为 6,500 万元至 10,500 万元；扣除非经常性损益后的归属于母公 司股东净利润约为 1,200 万元至 2,500 万元。

　　（一）碳化硅基氮化镓射频器件已成功应用于众多领域，以无线通信基础设施和国 防应用为主。无线G 具有大容量、低时延、低功耗、高可 靠性等特点，要求射频器件拥有更高的线性和更高的效率。相比砷化镓和硅基 LDMOS 射频器件，以碳化硅为衬底的氮化镓射频器件同时具有碳化硅良好的导 热性能和氮化镓在高频段下大功率射频输出的优势，能够提供下一代高频电信网 络所需要的功率和效能，成为 5G 基站功率放大器的主流选择。在国防军工领域， 碳化硅基氮化镓射频器件已经代替了大部分砷化镓和部分硅基 LDMOS 器件，占 据了大部分市场。对于需要高频高输出的卫星通信应用，氮化镓器件也有望逐步 取代砷化镓的解决方案。根据 Yole 报告，随着通信基础建设和军事应用的需求发展，全球氮化镓射 频器件市场规模将持续增长TB天博(中国)官方网站，预计从 2019 年的 7.4 亿美元增长至 2025 年的 20 亿美元，期间年均复合增长率达到 18%。半绝缘型碳化硅衬底的需求量有望因此 获益而持续增长。相同规格的碳化硅基 MOSFET 与硅基 MOSFET 相比，其尺寸可大幅减小至 原来的 1/10，导通电阻可至少降低至原来的 1/100。相同规格的碳化硅基 MOSFET 较硅基 IGBT 的总能量损耗可大大降低 70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势， 将极大地提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率，对高效能源转换领域产生 重大而深远的影响，主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、 智能电网等。随着 5G 基站建设、电动汽车、充电桩、特高压、城际高速铁路等行业发展， 半导体器件的性能也需要持续提升，即更高的工作电压、更高的工作频率、更高 的效率、更高的工作温度、更强的散热能力和更高的可靠性。目前，我国在 5G 通信、电动汽车等新兴产业的技术水平、产业化规模等方面都处于国际优势地位， 将促进我国上游半导体行业的持续发展，进一步提高国内半导体企业在国际市场 的影响力，尤其对碳化硅器件将产生巨大的需求。

　　（二）行业内主要企业 1、科锐公司（纳斯达克：CREE）。2、贰陆公司（纳斯达克：IIVI）。3、SiCrystal 公司。4、天科合达 天科合达是国内领先的碳化硅衬底生产商之一，主要从事碳化硅领域相关产 品研发、生产和销售，主要产品包括导电型碳化硅衬底、其他碳化硅产品和碳化 硅单晶生长炉。

　　非半导体级的半绝缘型碳化硅晶棒可作为宝石晶棒用于加工制成 莫桑钻等珠宝首饰进入消费品市场，例如，碳化硅衬底短期内依然较为高昂。可有效突破传统硅基半导体器件及其材料的物理极限，影响碳化硅衬 底成本的制约性因素在于生产速率慢、产品良率低，不合格衬底 可用于设备研发测试或科研等用途。公司生产的碳化硅衬底是一种由碳和硅两种元素组成的化合物半导体单晶材料，其下 游应用发展情况较好。使得碳化硅材料即使在部分相对优势领域的 降成本、促销售的可行性和预期进展仍存在较大的挑战，对发行人的经营产生不利影响。此外，碳化硅衬底的市场应用瓶颈为其较高的生产成本。具备禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高、电子饱和漂移速率高等特 点，2、碳化硅衬底成本高昂制约下游应用发展 目前下业已利用碳化硅在高压、高温、高功率、高频等方面的优势开发出新一代半导体器件，公司还销售生产过程中无法达到半导体级要求的晶棒、不合格衬底等 其他业务产品。或用于设备研发与测试等领域。